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TD314光耦的特征：

光耦 - TDL314的特性：
1.0A的max峰值输出电流
轨对轨输出电压
110nsmax传播延迟
带有滞后现象的低电压锁定保护（UVLO）
宽工作范围：10至30伏（VCC）
保证性能超过温度-40°C~+110°C
MSL class 1
-UL - UL1577
-VDE - EN60747-5-5
-CQC – GB4943.1, GB8898

光耦 - TDL314的应用：
隔离的IGBT/电源MOSFET门驱动器
工业逆变器
交流/无刷直流电机驱动
感应加热

光耦 - TDL314的原理：

TDL314栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。

电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦合器由砷化铝镓红外发光二极管光学耦合到一个集成电路的功率输出端；
此光耦用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于交流和直流无刷电机驱动、工业逆变器、不间断电源(UPS)等场景；华联提供了SOP5、LSOP6、WLSOP6、DIP8/SMD8、WLSOP8、SOP16等封装的栅极驱动光耦

全系列均有欠压锁定功能，保证电源设备的饱和、低电阻运行；宽电源工作电压（Vcc：15-30V），含有轨至轨的输出特点，有助于减少光耦合器的开关损耗，

同时降低栅极供电电压及增加设计裕度；驱动电流可达4A，兼具极高的共模抑制能力。除了市场常见型号之外，华联还提供了结合了保护功能的智能IGBT栅驱动光耦，以及碳化硅栅极驱动光耦，工作频率可达50K~100KHz。

为什么要用栅极驱动光耦：

在高功率电源应用中，通常需要专用驱动器来驱动功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化，

如足够的驱动电流和驱动保护功能等。而且直接用微控制器来驱动，会导致功耗过大等弊端。首先，在功率晶体管开关过程中，栅极电容充放电会在输出端产生较高的电压与电流，

高电压与高电流同时存在时，会造成相当大的开关损耗，降低电源效率。因此，在控制器和晶体管之间引入驱动器，可以有效放大控制器的驱动信号，从而更快地对功率管栅极电容进行充放电，

来缩短功率管在栅极的上电时间，降低晶体管损耗，提高开关效率。其次，大的电流可以提高开关频率，开关频率提高以后，可以使用小的磁性器件，以降低成本，减小产品体积。