IGBT 驱动光耦 TD3120R SOP8 安全可靠_深圳市首优科技有限公司

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IGBT 驱动光耦 TD3120R SOP8 安全可靠

型号/规格：

TD3120R(SL)(T1)-G

品牌/商标：

TD/天电

输出电压：

35V

产品信息

天电TD3120属于八个脚IGBT闸极驱动器光耦，是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率 IGBT 和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT 和 MOSFET。耐压5000VRMS，输出电压Vcc35V,输入电流IF25MA,在使用性能上能替代光宝LTV-3120,兆龙CT3120/350,夏普PC925LONSZOF,东芝TLP350H/250H,冠西KTLP250/350,安华高HCPL3120/J312/3180/T250，ACPL-T350/312T，QCPL-341H,仙童FOD3120/MOCD3120,瑞萨PS9552/9505，威世VO3120，封装类型为SMD8和DIP8，工作温度：-40℃TO 100℃，

TD3120R光耦的原理

TD3120R栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出

电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动1200V/100A的IGBT。

栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬

态耐久性等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用

TD3120R光耦特点：

25kV/us共模抑制；

2.5A峰值输出电流驱动能力，适用于1200V/120A的IGBT；

输出级采用P-沟道MOSFET，使输出电压振幅可接近电源端；

电源电压额定值宽至15至30V

开关速度快，延迟时间400ns，100ns的脉宽失真

带滞后的欠压闭锁

工作温度范围：- 40 ℃ to 100℃

TD3120R光耦应用：

广泛的运用于工业逆变器，不间断电源，感应加热，IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动，

大功率器件及功率模块驱动，大功率电器，储能方面。

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