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结构差异

• 达林顿光耦：由光耦合器和达林顿管组合而成。光耦合器部分一般包含发光二极管（LED），用于将输入的电信号转换为光信号；达林顿管是由两个三极管组成的复合管，前级共发射极的集电极回路接在后级共发射极回路的基极回路中 。当发光二极管点亮时，光信号照射到光敏三极管等光敏元件上产生光电流，该光电流作为达林顿管的输入信号进行放大。
• MOSFET：即金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种单极型的电压控制全控型器件。它通过栅极电压来控制漏极电流，主要由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）三个电极组成。

特性差异

• 输入特性
  • 达林顿光耦：输入通常是电流信号，通过控制发光二极管的电流来实现信号输入，对输入电流有一定要求，需要达到一定的电流值才能有效触发输出响应。
  • MOSFET：是电压控制型器件，输入阻抗高，驱动电路简单，只需要在栅极施加合适的电压就可以控制其导通和截止，所需的驱动功率小