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光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO、集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

　　CTR电流传输比（Current transfer ration）是用于描述光耦合器特性的参数，可表示为：

　　在上述公式中：

　　IC：副边输出电流

　　IF：原边输入电流

　　CTR：发光管和光敏三极管电流比的zui小值

　光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO、集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF）很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是它的一项非常重要特性。

　　电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817系列则为50%～600%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

　　使用光耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，下列所选用的光耦合器必须符合国内和国际有关隔离击穿电压的标准。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适合传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦合器必须具有较高的耦合系数。