栅极驱动光耦的特点与优势_技术资料_深圳市首优科技有限公司

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发布时间： 2024/10/18 17:48:34 | 57 次阅读

在氮化镓（GaN）功率器件方面

GaN功率器件因更快的开关能力、更高整体系统效率、减小尺寸和降低成本而越来越受欢迎。栅极驱动光耦用于驱动硅基半导体，如IGBT和功率MOSFET，在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘，抑制高共模噪声防止功率半导体误驱动2。
例如，ACPL - P346栅极驱动光耦可直接驱动GaN晶体管，具有轨到轨输出、输出电流为2.5A、可快速切换高压和驱动电流、有效可靠地导通和关断GaN，传播延迟时间小于110ns，典型的上升和下降时间约为8ns，共模抑制要达到100kV/μs
在智能栅极驱动方面
- 是一种将光信号IC，在驱动IGBT、MOSFET栅极的同时保证光电保护功能和输出大电流的能力。用户可根据IGBT、MOSFET的栅极电压区间选择合适产品3。
- 东芝TLP5212是高度集成的2.5A输出电流的智能栅极驱动光耦，具有IGBT退饱和、隔离故障状态反馈、栅极软关断、有源米勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能。内含两个红外发光二极管（LED），一个高增益高速光接收IC和一个栅极驱动光接收IC芯片。原边和副边之间通过光隔离实现输出电流的控制和故障信号的反馈功能